Počet záznamů: 1
Mapping of dopants by electron injection
- 1.
SYSNO ASEP 0350658 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Mapping of dopants by electron injection Tvůrce(i) Hovorka, Miloš (UPT-D)
Konvalina, Ivo (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCIDCelkový počet autorů 3 Zdroj.dok. Proceedings of the 12th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. - Brno : Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i, 2010 / Mika F. - ISBN 978-80-254-6842-5 Rozsah stran s. 15-16 Poč.str. 2 s. Akce International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /12./ Datum konání 31.05.2010-04.06.2010 Místo konání Skalský dvůr Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova silicon structures ; secondary electron emission ; very low energy range ; mapping dopants Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GP102/09/P543 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA100650803 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) UT WOS 000290773700004 Anotace Dopants in silicon structures locally modify the secondary electron emission, revealing in this way their distribution over the sample. Primary electron beam with energy around 1 keV is usually used for probing the doped structures. However, very low landing energy range has proved itself an efficient tool for mapping dopants in semiconductors. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1