Počet záznamů: 1
Oxygen assisted photoinduced changes in Ge39Ga2S59 amorphous thin film
- 1.
SYSNO ASEP 0350257 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Oxygen assisted photoinduced changes in Ge39Ga2S59 amorphous thin film Tvůrce(i) Knotek, P. (CZ)
Kincl, Miloslav (UMCH-V) RID
Tichý, Ladislav (UMCH-V) RID
Arsova, D. (BG)
Ivanova, Z.G. (BG)
Tichá, H. (CZ)Celkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Journal of Non-Crystalline Solids. - : Elsevier - ISSN 0022-3093
Roč. 356, 50-51 (2010), s. 2850-2857Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova amorphous chalcogenide films ; photooxidation ; AFM Vědní obor RIV CA - Anorganická chemie CEZ AV0Z40500505 - UMCH-V (2005-2011) UT WOS 000285660800028 DOI 10.1016/j.jnoncrysol.2010.09.075 Anotace Virgin GeGaS film is only a little bleached by the illumination with the band gap or over band gap photons while the film annealed in the argon is practically insensitive to such illumination. Illumination by UV photons leads to significant changes in the surface topology of the virgin or annealed film originated from the film oxidation, which is supported by Fourier transform infrared spectroscopy (Ge-O-Ge bridge), the Raman fearure (O3Ge-O-GeO2) and (iii) Atomic Force Microscopy (GeO2 microcrystalline particles). Pracoviště Ústav makromolekulární chemie Kontakt Eva Čechová, cechova@imc.cas.cz ; Tel.: 296 809 358 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1