Počet záznamů: 1
Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface
- 1.
SYSNO ASEP 0349319 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface Tvůrce(i) Dubecký, F. (SK)
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Gombia, E. (IT)
Zat'ko, B. (SK)
Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
Dubecký, M. (SK)
Boháček, P. (SK)Zdroj.dok. SURFINT-SREN II. - Bratislava : Comenius University, 2010 / Brunner R. - ISBN 978-80-223-2723-7 Rozsah stran s. 19-22 Poč.str. 4 s. Akce Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2009 Datum konání 16.11.2009-19.11.2009 Místo konání Florence Země IT - Itálie Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova SI-GaAs ; X-ray detectors ; charge transport ; metallization Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/07/0525 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace Radiation detector structures made of semiinsulating GaAs were prepared with a new kind of low-work function metallization. I-V curves were measured in different geometries of both top and bottom contacts. Anomalous decrease of the reverse current observed for Mg and Gd contacts is discussed. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1