Počet záznamů: 1  

Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface

  1. 1.
    SYSNO ASEP0349319
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevAnomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface
    Tvůrce(i) Dubecký, F. (SK)
    Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
    Gombia, E. (IT)
    Zat'ko, B. (SK)
    Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
    Dubecký, M. (SK)
    Boháček, P. (SK)
    Zdroj.dok.SURFINT-SREN II. - Bratislava : Comenius University, 2010 / Brunner R. - ISBN 978-80-223-2723-7
    Rozsah strans. 19-22
    Poč.str.4 s.
    AkceProgress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2009
    Datum konání16.11.2009-19.11.2009
    Místo konáníFlorence
    ZeměIT - Itálie
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.SK - Slovensko
    Klíč. slovaSI-GaAs ; X-ray detectors ; charge transport ; metallization
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA202/07/0525 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    AnotaceRadiation detector structures made of semiinsulating GaAs were prepared with a new kind of low-work function metallization. I-V curves were measured in different geometries of both top and bottom contacts. Anomalous decrease of the reverse current observed for Mg and Gd contacts is discussed.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.