Počet záznamů: 1
Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs with a new contact metallization: indication of 2DEG formed at the M-S interface
- 1.
SYSNO ASEP 0349314 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs with a new contact metallization: indication of 2DEG formed at the M-S interface Tvůrce(i) Dubecký, F. (SK)
Kováč, J. (SK)
Mudroň, J. (SK)
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Dubecký, M. (SK)
Gombia, E. (IT)Zdroj.dok. APCOM 2010. - Bratislava : Slovak University of Technology, 2010 / Vajda J. ; Weis M. - ISBN 978-80-227-3307-6 Rozsah stran s. 29-32 Poč.str. 4 s. Akce International Conference on Applied Physics of Condensed Matter /16./ Datum konání 16.06.2010-18.06.2010 Místo konání Malá Lučivná Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova SI-GaAs ; detectors ; photocurrent ; blocking electrodes Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace SI GaAs based photodetectors were studied by photocurrent and current-voltage methods. Features observed in photocurrent spectra of the detectors with Gd top contact indicate special properties of this kind of the metallization and, possibly, a formation of 2D system near the contact. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1