Počet záznamů: 1
Ab initio study of one-dimensional disorder on III-V semiconductor surfaces
- 1.
SYSNO ASEP 0349214 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Ab initio study of one-dimensional disorder on III-V semiconductor surfaces Tvůrce(i) Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Grosse, F. (DE)
Braun, W. (DE)Zdroj.dok. Physica Status Solidi C : Current Topics in Solid State Physics - ISSN 1862-6351
Roč. 7, č. 2 (2010), s. 330-333Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova atomic disorder ; ab initio ; semiconductor ; reconstruction Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN300100802 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) DOI 10.1002/pssc.200982498 Anotace Atomic disorder on GaSb(001) and GaAs(001) surfaces is studied by ab initio calculations within density functional theory (DFT). Surface energies are computed for GaSb(001)and GaAs(001) reconstructions. Deviations in bond lengths due to disorder with respect to the ordered ground state phases are calculated. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1