Počet záznamů: 1
Growth and characterization of YAG and LuAG epitaxial films for scintillation applications
- 1.
SYSNO ASEP 0349166 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Growth and characterization of YAG and LuAG epitaxial films for scintillation applications Tvůrce(i) Kučera, M. (CZ)
Nitsch, Karel (FZU-D) RID
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hanus, M. (CZ)
Daniš, S. (CZ)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 312, č. 9 (2010), s. 1538-1545Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova luminescence ; liquid phase epitaxy ; Ce doping ; YAG ; LuAG ; scintillator materials Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN300100802 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000277530200013 DOI 10.1016/j.jcrysgro.2010.01.023 Anotace The epitaxial films of Ce3+-doped yttrium and lutetium aluminum garnets, Y3Al5O12 and Lu3Al5O12, were grown by the liquid phase epitaxy from fluxes of various compositions, i.e. PbO–B2O3, BaO–BaF2– B2O3, and MoO3–Li2MoO4. Growth, film morphology, and structural, optical and emission properties of the films were studied. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1