Počet záznamů: 1
Radiation emission from wrinkled SiGe/SiGe nanostructure
- 1.
SYSNO ASEP 0349035 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Radiation emission from wrinkled SiGe/SiGe nanostructure Tvůrce(i) Fedorchenko, Alexander I. (UT-L) RID
Cheng, H. H. (TW)
Sun, G. (US)
Soref, R. A. (US)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 96, č. 11 (2010), s. 113104-113107Poč.str. 3 s. Forma vydání WWW - WWW Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova SiGe wrinkled nanostructures ; si-based optical emitter ; synchrotron radiation Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z20760514 - UT-L (2005-2011) UT WOS 000275825200051 DOI 10.1063/1.3360881 Anotace Semiconductor optical emitters radiate light via band-to-band optical transitions. Here, a different mechanism of radiation emission, which is not related to the energy band of the materials, is proposed. In the case of carriers traveling along a sinusoidal trajectory through a wrinkled nanostructure, radiation was emitted via changes in their velocity in a manner analogous to synchrotron radiation. The radiated frequency of wrinkled SiGe/SiGe nanostructure was found to cover a wide spectrum with radiation power levels of the order of submilliwatts. Thus, this nanostructure can be used as a Si-based optical emitter and it will enable the integration of optoelectronic devices on a wafer. Pracoviště Ústav termomechaniky Kontakt Marie Kajprová, kajprova@it.cas.cz, Tel.: 266 053 154 ; Jana Lahovská, jaja@it.cas.cz, Tel.: 266 053 823 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1