Počet záznamů: 1
Effect of P-anion codoping on the Curie temperature of GaMnAs diluted magnetic semiconductors
- 1.
SYSNO ASEP 0348037 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Effect of P-anion codoping on the Curie temperature of GaMnAs diluted magnetic semiconductors Tvůrce(i) Bouzerar, R. (FR)
Máca, František (FZU-D) RID, ORCID
Kudrnovský, Josef (FZU-D) RID, ORCID
Bergqvist, L. (SE)Zdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 82, č. 3 (2010), 035207/1-035207/6Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova GaMnAs ; calculations ; Curie temperature ; defects Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/09/0775 GA ČR - Grantová agentura ČR GC202/07/J047 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000279993100004 DOI 10.1103/PhysRevB.82.035207 Anotace We present a parameter-free theory of the Curie temperatures for GaMnAs alloy samples with a very small content of P atoms prepared by ion-implented pulsed laser melting. The effect of compensating defects was first qualitatively modeled in the framework of the rigid-band, Curie temperatures were calculated within the self-consistent local RPA and Monte Carlo simulations. We obtain reasonable agreement of calculated and measured Curie temperatures. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1