Počet záznamů: 1
Role of the tip induced local anodic oxidation in the conductive atomic force microscopy of mixed phase silicon thin films
- 1.
SYSNO ASEP 0347762 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Role of the tip induced local anodic oxidation in the conductive atomic force microscopy of mixed phase silicon thin films Tvůrce(i) Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Physica Status Solidi C : Current Topics in Solid State Physics - ISSN 1862-6351
Roč. 7, 3-4 (2010), s. 728-731Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova local anodic oxidation (LAO) ; conductive atomic force microscopy (C-AFM) Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy IAA100100902 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) DOI 10.1002/pssc.200982777 Anotace We show that local currents observed by the Conductive Atomic Force Microscopy (C-AFM) of silicon thin films measured in ambient atmosphere are generally limited by surface oxide, either native or created by the measurement itself in a process of Local Anodic Oxidation (LAO), as evidenced by observed topographic changes of Si surface. The tip-induced LAO changes the character of the local current maps in repeated scans or even in the first scan of a pristine surface. In particular, the oxidation of the neighboring scan lines leads to the appearance of grain edges as conductive rings. Finally, we have used brief HF acid etch to strip the oxide in order to restore the contrast in the C-AFM maps of aged samples and we compare the observed local current levels to those observed in ultra-high vacuum C-AFM on in-situ deposited samples. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1