Počet záznamů: 1  

Recognition tunneling

  1. 1.
    SYSNO ASEP0346586
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevRecognition tunneling
    Tvůrce(i) Lindsay, S. (US)
    He, J. (US)
    Sankey, O. (US)
    Hapala, Prokop (FZU-D) RID, ORCID
    Jelínek, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
    Zhang, P. (US)
    Chang, S. (US)
    Huang, S. (US)
    Zdroj.dok.Nanotechnology. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0957-4484
    Roč. 21, č. 26 (2010), 262001/1-262001/12
    Poč.str.12 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.GB - Velká Británie
    Klíč. slovaSTM ; tunneling current ; molecular electronics ; DFT calculations
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA202/09/0545 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    UT WOS000278711100002
    DOI10.1088/0957-4484/21/26/262001
    AnotaceSingle molecules in a tunnel junction can now be interrogated reliably using chemically functionalized electrodes. Monitoring stochastic bonding fluctuations between a ligand bound to one electrode and its target bound to a second electrode ("tethered molecule-pair" configuration) gives insight into the nature of the intermolecular bonding at a single molecule-pair level, and defines the requirements for reproducible tunneling data.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.