Počet záznamů: 1

Impact of Pr on the properties of InP based layers for light sources and detectors

SYSNO ASEP	0346171
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Impact of Pr on the properties of InP based layers for light sources and detectors
Tvůrce(i)	Procházková, Olga (URE-Y) Grym, Jan (URE-Y) Zavadil, Jiří (URE-Y)_RID Žďánský, Karel (URE-Y) Yatskiv, Roman (URE-Y)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	PHYSICA STATUS SOLIDI , C. - WEINHEIM : WILEY, 2009 / Correia A. ; Saenz JJ. ; Ordejon P. - ISSN 1610-1634
Rozsah stran	s. 2801-2803
Poč.str.	4 s.
Akce	15th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XV)
Datum konání	15.06.2009-19.06.2009
Místo konání	Vilnius
Země	LT - Litva
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	DE - Německo
Klíč. slova	detection ; radiation
Vědní obor RIV	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEZ	AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011)
UT WOS	000279548000048
Anotace	We report the optimization of LPE growth technique for the preparation of InP and GaInAsP high quality and high purity layers by using Pr purification effect. We have found that Pr addition into the growth melt leads to the reduction of the layer defect density by a half order of magnitude and carrier concentrations diminished to 10(14) cm(-3). Three types of p-n junction based radiation detection structures were prepared and their detection performance was assessed by using alpha-particles emitted from the Am-241 radioactive source. The type Ill structure, utilizing the p-n junction with both components grown with Pr addition, exhibits the highest charge collection efficiency.
Pracoviště	Ústav fotoniky a elektroniky
Kontakt	Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
Rok sběru	2011

Počet záznamů: 1