Počet záznamů: 1  

Characteristics of edgeless silicon detectors for the Roman Pots of the TOTEM experiment at the LHC

  1. 1.
    SYSNO ASEP0345246
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevCharacteristics of edgeless silicon detectors for the Roman Pots of the TOTEM experiment at the LHC
    Tvůrce(i) Ruggiero, G. (CH)
    Avati, V. (CH)
    Antchev, G. (CH)
    Deile, M. (CH)
    Eggert, K. (US)
    Eremin, V. (RU)
    Kašpar, Jan (FZU-D) RID, ORCID
    Niewiadomski, H. (CH)
    Petajajarvi, J. (FI)
    Radicioni, E. (IT)
    Ravotti, F. (CH)
    Radermacher, E. (CH)
    Snoeys, W. (CH)
    Spearman, W. (CH)
    Wu, J. (CH)
    Zdroj.dok.Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002
    Roč. 604, 1-2 (2009), s. 242-245
    Poč.str.4 s.
    AkceInternational Conference on Position Sensitive Detectors /8./
    Datum konání01.09.2008-05.09.2008
    Místo konáníGlasgow
    ZeměGB - Velká Británie
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovasilicon edgeless detctors ; radiation hardness
    Vědní obor RIVBF - Elementární částice a fyzika vys. energií
    CEPLA08015 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z10100502 - FZU-D (2005-2011)
    UT WOS000267405700066
    DOI10.1016/j.nima.2009.01.056
    AnotaceTOTEM Roman Pot microstrip edgeless silicon detectors, fabrikated with standard planar technology, reach full sensitivity within 50 μm from the cut edge and can operate with high bias voltage at room temperature.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.