Počet záznamů: 1
Giant inelastic tunneling in epitaxial graphene mediated by localized states
- 1.
SYSNO ASEP 0343359 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Giant inelastic tunneling in epitaxial graphene mediated by localized states Tvůrce(i) Červenka, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
van der Ruit, K. (NL)
Flipse, C.F.J. (NL)Zdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 81, č. 20 (2010), 205403/1-205403/5Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova graphene ; silicon carbide ; scanning tunneling microscopy ; inelastic electron tunneling spectroscopy ; phonons Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000278144500079 DOI 10.1103/PhysRevB.81.205403 Anotace Local electronic structures of nanometer-sized patches of epitaxial graphene and its interface layer with SiC(0001) have been studied by atomically resolved scanning tunneling microscopy and spectroscopy. Localized states belonging to the interface layer of a graphene/SiC system show to have essential influence on the electronic structure of graphene. Giant enhancement of inelastic tunneling, reaching 50% of the total tunneling current, has been observed at the localized states on a nanometer-sized graphene monolayer surrounded by defects. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1