Počet záznamů: 1

Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface

  1. 1.
    SYSNO ASEP0342123
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    NázevElectroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface
    Tvůrce(i)Mikhailova, M. P. (RU) - Ivanov, E.V. (RU) - Moiseev, K. D. (RU) - Yakovlev, Yu. P. (RU) - Hulicius, Eduard (FZU-D) - Hospodková, Alice (FZU-D) - Pangrác, Jiří (FZU-D) - Šimeček, Tomislav (FZU-D)
    Rozsah stran66 - 71
    Zdroj.dok.Semiconductors - ISSN 1063-7826
    Poč.str.6 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.RU - Rusko
    Klíč. slovaelectroluninescence ; MOVPE ; GaSb ; InAs ; quantum well
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    UTISI000273980800010
    DOI10.1134/S1063782610010100
    AnotaceLuminescent characteristics of asymmetric p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the heterointerface grown by MOVPE are studied. Intense positive and negative luminescence was observed in the range of photon energies of 0.3-0.4 eV with a forward and reverse bias, respectively. The suggested heterostructures can be used as lightemitting diodes (photodiodes) with switched positive and negative luminescence in the mid-IR spectral range of 3-4 μm.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktEva Pulcmanová, pulcman@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2011