Počet záznamů: 1  

LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures

  1. 1.
    SYSNO ASEP0341444
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevLPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures
    Tvůrce(i) Grym, Jan (URE-Y)
    Procházková, Olga (URE-Y)
    Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
    Žďánský, Karel (URE-Y)
    Zdroj.dok.Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. - : Elsevier - ISSN 0921-5107
    Roč. 165, 1-2 (2009), s. 94-97
    Poč.str.4 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CH - Švýcarsko
    Klíč. slovasemiconductor technology ; rare earth elements ; III-V semiconductors
    Vědní obor RIVJJ - Ostatní materiály
    CEPGP102/08/P617 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GA102/06/0153 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011)
    UT WOS000272777100024
    DOI10.1016/j.mseb.2009.03.004
    AnotaceRare-earth (RE) elements present in the growth from the liquid phase have purifying effect on III-V semiconductors due to REs high affinity towards chemical species of shallow impurities. We demonstrate this purifying effect on the preparation of InP layers by liquid phase epitaxy with Pr admixture to the growth melt. We employ low temperature photoluminescence, capacitance-voltage and Hall effect measurements to show that optimized concentration of Pr admixture results in the growth of high purity layers of both conductivity types. We discuss the application of p-type InP layers in radiation detectors.
    PracovištěÚstav fotoniky a elektroniky
    KontaktPetr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
    Rok sběru2010
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.