Počet záznamů: 1
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures
- 1.
SYSNO ASEP 0341444 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures Tvůrce(i) Grym, Jan (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Žďánský, Karel (URE-Y)Zdroj.dok. Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. - : Elsevier - ISSN 0921-5107
Roč. 165, 1-2 (2009), s. 94-97Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova semiconductor technology ; rare earth elements ; III-V semiconductors Vědní obor RIV JJ - Ostatní materiály CEP GP102/08/P617 GA ČR - Grantová agentura ČR GA102/06/0153 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000272777100024 DOI 10.1016/j.mseb.2009.03.004 Anotace Rare-earth (RE) elements present in the growth from the liquid phase have purifying effect on III-V semiconductors due to REs high affinity towards chemical species of shallow impurities. We demonstrate this purifying effect on the preparation of InP layers by liquid phase epitaxy with Pr admixture to the growth melt. We employ low temperature photoluminescence, capacitance-voltage and Hall effect measurements to show that optimized concentration of Pr admixture results in the growth of high purity layers of both conductivity types. We discuss the application of p-type InP layers in radiation detectors. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1