Počet záznamů: 1
Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE
- 1.
SYSNO ASEP 0341441 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE Tvůrce(i) Vaniš, Jan (URE-Y) RID
Zelinka, Jiří (URE-Y)
Malina, Václav (URE-Y)
Henini, M. (GB)
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Šroubek, Filip (UTIA-B) RID, ORCID
Walachová, Jarmila (URE-Y)Zdroj.dok. Microelectronics Journal. - : Elsevier - ISSN 0026-2692
Roč. 40, č. 3 (2009), s. 496-498Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova quantum dots ; ballistic transport ; semiconductor heterojunction Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/05/0242 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) AV0Z10750506 - UTIA-B (2005-2011) UT WOS 000264694700032 DOI 10.1016/j.mejo.2008.06.054 Anotace Self-assembled InAs quantum dots (SAQDs) in GaAs/GaAlAs structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) of similar size was examined by ballistic electron emission spectroscopy. Ballistic current-voltage characteristics through the QD in the voltage range from 0.55 to 0.9 V (range where the presence of resonance states of QD is expected) with its derivative (the derivation of the spectroscopic characteristics represents quantum levels in the QD) are given. Differences in the intensities and sharpnesses of the QD levels for MBE and MOVPE grown QDs are observed. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1