Počet záznamů: 1  

Structure, electrical, optical and thermal properties of Ge4Sb4Tex(x=8,9 and10) thin films

  1. 1.
    SYSNO ASEP0340236
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevStructure, electrical, optical and thermal properties of Ge4Sb4Tex(x=8,9 and10) thin films
    Tvůrce(i) Přikryl, J. (CZ)
    Hrdlička, M. (CZ)
    Frumar, M. (CZ)
    Orava, J. (CZ)
    Beneš, L. (CZ)
    Vlček, Milan (UMCH-V) RID, ORCID
    Kostal, P. (CZ)
    Hromádko, T. (CZ)
    Wágner, T. (CZ)
    Celkový počet autorů9
    Zdroj.dok.Journal of Non-Crystalline Solids. - : Elsevier - ISSN 0022-3093
    Roč. 355, 37-42 (2009), s. 1998-2002
    Poč.str.5 s.
    AkceInternational Symposium on Non-Oxide and New Optical Glasses
    Datum konání20.04.2008-25.04.2008
    Místo konáníMontpellier
    ZeměFR - Francie
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovachalcogenide thin films ; crystallization
    Vědní obor RIVCA - Anorganická chemie
    CEPGA203/06/0627 GA ČR - Grantová agentura ČR
    UT WOS000270620900052
    DOI10.1016/j.jnoncrysol.2009.05.070
    AnotaceThe crystalline samples were prepared and their amorphous semiconducting thin films obtained by flash evaporation. The films were crystallized by a short laser pulses or slowly by annealing. The electrical and optical properties of layers prepared were measured.
    PracovištěÚstav makromolekulární chemie
    KontaktEva Čechová, cechova@imc.cas.cz ; Tel.: 296 809 358
    Rok sběru2010
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.