Počet záznamů: 1
Decomposition of mixed phase silicon Raman spectra
- 1.
SYSNO ASEP 0339516 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Decomposition of mixed phase silicon Raman spectra Tvůrce(i) Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology — 2009. - Warrendale, PA : Materials Research Society, 2009 / Flewitt A. ; Wang Q. ; Hou J. ; Uchikoga S. ; Nathan A. - ISBN 978-1-60511-126-1 Rozsah stran s. 15-20 Poč.str. 6 s. Akce MRS spring meating 2009 Datum konání 13.04.2009-17.04.2009 Místo konání San Francisco, CA Země US - Spojené státy americké Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova Raman spectroscopy ; silicon thin films ; photovoltaics Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC06040 GA MŠk - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠk - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace Series of Raman spectra were measured for microcrystalline silicon thin film with variable crystallinity. Five sets of Raman spectra (corresponding to excitations at 325 nm, 442 nm, 514.5 nm, 632.8 nm and 785 nm wavelengths) were subjected to factor analysis which showed that each set of spectra consisted of just two independent spectral components. Decomposition of the measured Raman spectra into the amorphous and the microcrystalline components is illustrated for 514.5 nm and 632.8 nm excitations. Effect of the light scattering on absolute intensity of Raman spectra was identified even for excitation wavelength highly absorbed in the mixed phase silicon layers. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1