Počet záznamů: 1
Pre-edge XANES structure of Mn in (Ga,Mn)As from first principles
- 1.
SYSNO ASEP 0337620 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Pre-edge XANES structure of Mn in (Ga,Mn)As from first principles Překlad názvu Pre-edge XANES struktura Mn v (Ga,Mn)As vypočtená z prvních principů Tvůrce(i) Goncharuk, Natalya (FZU-D)
Kučera, Jan (FZU-D) RID
Smrčka, Ludvík (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 3 Zdroj.dok. Chemistry of Metals and Alloys - ISSN 1998-8079
Roč. 2, 1-2 (2009), s. 34-38Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. UA - Ukrajina Klíč. slova (Ga,Mn)As magnetic semiconductor ; X-ray absorption near-edge structure ; substitutional ; interstitial / ; defects Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace The X-ray absorption near-edge structure (XANES) at the Mn K-edge in the (Ga,Mn)As magnetic semiconductor was simulated using the full potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method including the core-hole effect. The calculations were performed in the supercell scheme for a substitutional and two tetrahedral interstitial Mn sites. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1