Počet záznamů: 1
Toward a low-voltage multiferroic transistor: magnetic (Ga,Mn)As under ferroelectric control
- 1.
SYSNO ASEP 0337207 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Toward a low-voltage multiferroic transistor: magnetic (Ga,Mn)As under ferroelectric control Překlad názvu Multiferoický transistor ovládaný slabým elektrickým polem: Magnetický (Ga,Mn)As ovládaný feroelektrickou vrstvou Tvůrce(i) Riester, S.W.E. (CH)
Stolichnov, I. (CH)
Trodahl, H.J. (CH)
Setter, N. (CH)
Rushforth, A.W. (GB)
Edmonds, K. W. (GB)
Campion, R. P. (GB)
Foxon, C. T. (GB)
Gallagher, B. L. (GB)
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 10 Zdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 94, č. 6 (2009), 063504/1-063504/3Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova Curie temperature ; dielectric polarisation ; erroelectric devices ; ferroelectric materials ; insulated gate field effect tran Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000263409400109 DOI 10.1063/1.3076107 Anotace We have fabricated and studied experimentallz and theoretically a new type of a spintronic transistor with GaMnAs channel and ferroelectric gate electrode. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1