Počet záznamů: 1

The origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices

SYSNO ASEP	0335861
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	The origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices
Překlad názvu	Příčiny a způsob ovládání AMR v součástkách z (Ga,Mn)As
Tvůrce(i)	Rushforth, A.W. (GB) Výborný, Karel (FZU-D)_{RID, ORCID} King, C.S. (GB) Edmonds, K. W. (GB) Campion, R. P. (GB) Foxon, C. T. (GB) Wunderlich, J. (GB) Irvine, A.C. (GB) Novák, Vít (FZU-D)_{RID, ORCID} Olejník, Kamil (FZU-D)_{RID, ORCID} Kovalev, A.A. (US) Sinova, J. (US) Jungwirth, Tomáš (FZU-D)_{RID, ORCID} Gallagher, B. L. (GB)
Celkový počet autorů	14
Zdroj.dok.	Journal of Magnetism and Magnetic Materials. - : Elsevier - ISSN 0304-8853 Roč. 321, č. 8 (2009), s. 1001-1008
Poč.str.	8 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	ferromagnetic semiconductor ; anisotropic magnetoresistance
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
	GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR
	GA202/05/0575 GA ČR - Grantová agentura ČR
	GA202/04/1519 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000264092400013
DOI	10.1016/j.jmmm.2008.04.070
Anotace	We present details of our experimental and theoretical study of the components of the anisotropic magnetoresistance (AMR) in (Ga,Mn)As. We develop experimental methods to yield directly the non-crystalline and crystalline AMR components which are then independently analyzed. Simple analytical model of the non-crystalline AMR is derived.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2010

Počet záznamů: 1