Počet záznamů: 1
Influence of process parameters on the properties of TEOS DF-PECVD grown SiO2 films by DOE
- 1.
SYSNO ASEP 0335271 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Influence of process parameters on the properties of TEOS DF-PECVD grown SiO2 films by DOE Tvůrce(i) Mikmeková, Eliška (UPT-D) RID
Janča, J. (CZ)
Dvořáková, M. (CZ)Celkový počet autorů 3 Zdroj.dok. MC 2009 - Microscopy Conference: First Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Conference on Microscopy. - Graz : Verlag der Technischen Universität, 2009 - ISBN 978-3-85125-062-6 Rozsah stran vol. 3: 463-464 Poč.str. 2 s. Akce MC 2009 - Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Congress on Microscopy /9./ Datum konání 30.08.2009-04.09.2009 Místo konání Graz Země AT - Rakousko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. AT - Rakousko Klíč. slova DF-PECVD ; silicon dioxide ; intrinsic stress ; DOE ; SEM Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Anotace The aim of this work is to optimize deposition process for thin silicon dioxide films preparation and to study the influence of stress in these films. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1