Počet záznamů: 1  

Cathodoluminescence study of electron beam formed defects in polysilanes

  1. 1.
    SYSNO ASEP0335270
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevCathodoluminescence study of electron beam formed defects in polysilanes
    Tvůrce(i) Schauer, P. (CZ)
    Schauer, Petr (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Kuřitka, I. (CZ)
    Nešpůrek, Stanislav (UMCH-V) RID
    Zdroj.dok.MC 2009 - Microscopy Conference: First Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Conference on Microscopy. - Graz : Verlag der Technischen Universität, 2009 - ISBN 978-3-85125-062-6
    Rozsah stranvol. 3: 383-384
    Poč.str.2 s.
    AkceMC 2009 - Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Congress on Microscopy /9./
    Datum konání30.08.2009-04.09.2009
    Místo konáníGraz
    ZeměAT - Rakousko
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.AT - Rakousko
    Klíč. slovacathodoluminescence ; electron beam degradation ; poly[methyl(phenyl)silane] ; PMPSi ; silicon polymers
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    CEPIAA100100622 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
    AV0Z40500505 - UMCH-V (2005-2011)
    AnotaceIn materials science and semiconductor engineering, cathodoluminescence (CL) is a very efficient tool for the study of electronic substance structure and application possibilities. In spite of this, CL is only very rarely used for investigation of polymers. Recently Wellman et al introduced CL as an important tool for the investigation of materials for organic electroluminescence devices. It is evident that CL may become a strong tool for the investigation of polymer light emission possibilities as well as for investigation of triplet harvester organic solar cells. Our interest has been focused on the group of polysilanes (often also called polysilylanes), especially on poly[methyl(phenyl)silane] (PMPSi), having linear backbone of linked silicon atoms. Cathodoluminescence study of electron beam formed defects in PMPSi is presented in this paper.
    PracovištěÚstav přístrojové techniky
    KontaktMartina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
    Rok sběru2010
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.