Počet záznamů: 1
Wavelength dependence of the damage threshold of inorganic materials under extreme-ultraviolet free-electron-laser irradiation
- 1.
SYSNO ASEP 0334092 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Wavelength dependence of the damage threshold of inorganic materials under extreme-ultraviolet free-electron-laser irradiation Překlad názvu Závislost prahu poškození anorganických materiálů ozářených XUV laserem s volnými elektrony Tvůrce(i) Hau-Riege, S.P. (US)
London, R.A. (US)
Bionta, R.M. (US)
Ryutov, D. (US)
Soufli, R. (US)
Bajt, S. (US)
McKernan, M.A. (US)
Baker, S. L. (US)
Krzywinski, J. (US)
Sobierajski, R. (PL)
Nietubyc, R. (PL)
Klinger, D. (PL)
Pelka, J. B. (PL)
Jurek, M. (PL)
Juha, Libor (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Chalupský, Jaromír (FZU-D) RID, ORCID
Cihelka, Jaroslav (FZU-D)
Hájková, Věra (FZU-D) RID, ORCID
Velyhan, Andriy (FZU-D) RID, ORCID
Krása, Josef (FZU-D) RID, ORCID
Tiedtke, K. (DE)
Toleikis, S. (DE)
Wabnitz, H. (DE)
Bergh, M. (SE)
Caleman, C. (SE)
Timneanu, N. (SE)Zdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 95, č. 11 (2009), 111104/1-111104/3Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova damage threshold ; silicon carbide ; boron carbide ; soft X-ray free-electron laser Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery CEP KAN300100702 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LC528 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LA08024 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy IAA400100701 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100523 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000270096900004 DOI 10.1063/1.3216845 Anotace We exposed bulk SiC and films of SiC and B4C to single 25 fs long free-electron-laser pulses with wavelengths between 13.5 and 32 nm. The materials are candidates for x-ray free-electron laser optics. We found that the threshold for surface-damage of the bulk SiC samples exceeds the fluence required for thermal melting at all wavelengths. The damage threshold of the film sample shows a strong wavelength dependence. For wavelengths of 13.5 and 21.7 nm, the damage threshold is equal to or exceeds the melting threshold, whereas at 32 nm the damage threshold falls below the melting threshold. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1