Počet záznamů: 1
Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing
- 1.
SYSNO ASEP 0332842 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing Tvůrce(i) Meduňa, M. (CZ)
Caha, O. (CZ)
Kuběna, J. (CZ)
Kuběna, A. (CZ)
Buršík, Jiří (UFM-A) RID, ORCIDZdroj.dok. Physica B-Condensed Matter. - : Elsevier - ISSN 0921-4526
Roč. 404, - (2009), s. 4637-4640Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova silicon ; interstitial oxygen ; oxygen precipitates Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/09/1013 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20410507 - UFM-A (2005-2011) Anotace The precipitation of interstitial oxygen in Czochralski grown silicon has been investigated by infrared absorption spectroscopy, chemical etching, TEM and X-ray diffraction after application of homogenization annealing process called Tabula Rasa. Pracoviště Ústav fyziky materiálu Kontakt Yvonna Šrámková, sramkova@ipm.cz, Tel.: 532 290 485 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1