Počet záznamů: 1  

Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing

  1. 1.
    SYSNO ASEP0332842
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevHomogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing
    Tvůrce(i) Meduňa, M. (CZ)
    Caha, O. (CZ)
    Kuběna, J. (CZ)
    Kuběna, A. (CZ)
    Buršík, Jiří (UFM-A) RID, ORCID
    Zdroj.dok.Physica B-Condensed Matter. - : Elsevier - ISSN 0921-4526
    Roč. 404, - (2009), s. 4637-4640
    Poč.str.4 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovasilicon ; interstitial oxygen ; oxygen precipitates
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA202/09/1013 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z20410507 - UFM-A (2005-2011)
    AnotaceThe precipitation of interstitial oxygen in Czochralski grown silicon has been investigated by infrared absorption spectroscopy, chemical etching, TEM and X-ray diffraction after application of homogenization annealing process called Tabula Rasa.
    PracovištěÚstav fyziky materiálu
    KontaktYvonna Šrámková, sramkova@ipm.cz, Tel.: 532 290 485
    Rok sběru2010
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.