Počet záznamů: 1  

Heterogeneous nucleation and adatom detachment at one-dimensional growth of In on Si(100)-2 x 1

  1. 1.
    SYSNO ASEP0331417
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevHeterogeneous nucleation and adatom detachment at one-dimensional growth of In on Si(100)-2 x 1
    Překlad názvuHeterogenní nukleace a odtrhávaní adatomů při jedno-dimensionalním růstu In na povrchu Si(100)-2 x 1
    Tvůrce(i) Javorský, J. (CZ)
    Setvín, M. (CZ)
    Ošt'ádal, I. (CZ)
    Sobotík, P. (CZ)
    Kotrla, Miroslav (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů5
    Zdroj.dok.Physical Review. B - ISSN 1098-0121
    Roč. 79, č. 16 (2009), 165424/1-165424/9
    Poč.str.9 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaatomic chains ; surface growth ; nanostructures ; indium ; silicon ; adatom diffusion ; STM ; kinetic MC ; simulation
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA202/06/0049 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011)
    UT WOS000265945200102
    DOI10.1103/PhysRevB.79.165424
    AnotaceGrowth of atomic indium chains - 1D islands - on the Si(100)-2x1 surface was observed by scanning tunneling microscopy at room temperature and simulated by means of a kinetic Monte Carlo method. Density of indium islands and island size distribution were obtained for various deposition rates and coverage. Important role of C-type defects at adsorption of metal atoms was observed. Measured growth characteristics were simulated using a microscopic model with anisotropic surface diffusion and forbidden zones along the metal chains. An analysis of experimental and simulation data shows that detachment of indium adatoms from the chains substantially influences a growth scenario and results in monotonously decreasing chain length distribution function at low coverage. Diffusion barriers determined from the simulations correspond to almost isotropic diffusion of indium adatoms on the surface.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2010
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.