Počet záznamů: 1
Deposition of SiC thin films using pulsed sputtering of a hollow cathode
- 1.
SYSNO ASEP 0331189 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Deposition of SiC thin films using pulsed sputtering of a hollow cathode Překlad názvu Depozice SiC tenkých vrstev pomocí pulzního rozprašování duté katody Tvůrce(i) Soukup, R. J. (US)
Ianno, N.J. (US)
Huguenin-Love, J.L. (US)
Lauer, N.T. (US)
Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Journal of Materials Science and Engineering - ISSN 1934-8959
Roč. 3, č. 8 (2009), s. 1-4Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova hollow cathode ; pulsed sputtering ; 4H SiC Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery CEP 1M06002 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100522 - FZU-D (2005-2011) Anotace Thin films of SiC have been deposited using a hollow cathode sputtering methodes. Crystalline SiC thin films were deposited by pulsed hollow cathode plasma excitation. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1