Počet záznamů: 1
Performance of silicon PIN photodiodes at low temperatures and in high magnetic fields
- 1.
SYSNO ASEP 0330880 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Performance of silicon PIN photodiodes at low temperatures and in high magnetic fields Překlad názvu Výkon křemíkových PIN fotodiodů při nízkých teplotách a ve vysokých magnetických polích Tvůrce(i) Wauters, F. (BE)
Kraeva, I.S. (BE)
Tandecki, M. (BE)
Traykov, E. (BE)
Van Gorp, S. (BE)
Zákoucký, Dalibor (UJF-V) RID, SAI, ORCID
Severijns, N. (BE)Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002
Roč. 604, č. 3 (2009), s. 563-567Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova PIN-diode ; beta-particle detection ; Magnetic field Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače CEZ AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) UT WOS 000267198700018 DOI 10.1016/j.nima.2009.03.012 Anotace The performance of an Si p-i-n (PIN) diode (type Hamamatsu S3590-06) as an energy sensitive detector operating at cryogenic temperatures (similar to 10 K) and in magnetic fields up to 11 T was investigated, using a Bi-207 conversion electron source. it was found that the detector still performs well under these conditions, with small changes in the response function being observed in high magnetic fields, e.g. a 30-50% decrease in energy resolution. A Monte Carlo simulation with the GEANT4 toolkit showed that the observed effects are mainly due to the modified trajectories of the electrons due to the influence of the magnetic field, which changes the scattering conditions, rather than to intrinsic changes of the performance of the detector itself. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1