Počet záznamů: 1

Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

SYSNO ASEP	0330532
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs
Překlad názvu	Vliv tloušťky krycí vrstvy na elektronové stavy v samouspořádaných InAs kvantových tečkách na GaAs připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin
Tvůrce(i)	Hazdra, P. (CZ) Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Komarnitskyy, V. (CZ) Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Superlattices and Microstructures. - : Elsevier - ISSN 0749-6036 Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327
Poč.str.	4 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	GB - Velká Británie
Klíč. slova	quantum dots ; metal-organic vapor phase epitaxy ; indium arsenide ; gallium arsenide ; photoluminescence ; AFM
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR
	IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000267444900056
DOI	10.1016/j.spmi.2008.12.002
Anotace	In0.23Ga0.77As capping reduces residual strain and preserves the shape of quantum dots. As a result, the photoluminescence maximum shifts up to desired wavelength of 1.55μm.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2010

Počet záznamů: 1