Počet záznamů: 1  

High photocarrier mobility in ultrafast ion-irradiated In.sub.0.53./sub.Ga.sub.0.47./sub.As

  1. 1.
    SYSNO ASEP0330267
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevHigh photocarrier mobility in ultrafast ion-irradiated In0.53Ga0.47As
    Překlad názvuVysoká pohyblivost fotoexcitovaných nositelů náboje v In0.53Ga0.47As ozářeném ionty
    Tvůrce(i) Delagnes, J.C. (FR)
    Mounaix, P. (FR)
    Němec, Hynek (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
    Kadlec, Filip (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Kužel, Petr (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Martin, M. (FR)
    Mangeney, J. (FR)
    Zdroj.dok.Journal of Physics D-Applied Physics. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0022-3727
    Roč. 42, č. 19 (2009), 195103/1-195103/6
    Poč.str.6 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.GB - Velká Británie
    Klíč. slovaInGaAs ; photocarrier mobility ; ultrafast photoconductivity terahertz ; ion irradiation ; terahertz ; ion irradiation
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGP202/09/P099 GA ČR - Grantová agentura ČR
    IAA100100902 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011)
    UT WOS000269993100029
    DOI10.1088/0022-3727/42/19/195103
    AnotaceOptical pump—terahertz probe spectroscopy was used for investigation of electron dynamics in In0.53Ga0.47As films irradiated by heavy ions (Br+) at doses from 10^9 to 10^12 cm^-2. From the transient conductivity spectra, photoexcited electron lifetimes and mobilities were determined; their decrease is observed upon increase of the irradiation dose. At the highest dose, the material combines an electron lifetime of 0.46 ps with an exceptionally high photoexcited electron mobility of 3600 cm2V–1s–1. This last value is even higher than those reported for low-temperature-grown GaAs with similar electron lifetime. Due to its rather low band gap heavy-ion irradiated IIn0.53Ga0.47As shows promising properties for the development of THz systems using telecommunication based technology.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2010
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.