Počet záznamů: 1
Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures
- 1.
SYSNO ASEP 0328675 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures Překlad názvu Hluboké defekty v heterostrukturách GaN/AlGaN/SiC Tvůrce(i) Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Krištofik, Jozef (FZU-D) RID
Mareš, Jiří J. (FZU-D) RID, ORCID
Výborný, Zdeněk (FZU-D)
Leys, M.R. (BE)
Boeykens, S. (BE)Celkový počet autorů 7 Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing - ISSN 0021-8979
Roč. 105, č. 9 (2009), 093706/1-093706/8Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova nitrides ; silicon carbide ; deep levels ; DLTS Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/07/0525 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000266263300075 Anotace Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements were carried out on GaN/AlGaN/SiC heterostructures prepared by MOVPE. The deep level parameters were correlated with the SiC substrate orientation and the AlGaN layer composition. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1