Počet záznamů: 1
Far-infrared response of free charge carriers localized in semiconductor nanoparticles
- 1.
SYSNO ASEP 0325000 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Far-infrared response of free charge carriers localized in semiconductor nanoparticles Překlad názvu Terahertzová odezva volných nosičů lokalizovaných v polovodičových nanočásticích Tvůrce(i) Němec, Hynek (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kužel, Petr (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Sundström, V. (SE)Zdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 79, č. 11 (2009), 115309/1-115309/7Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova transient conductivity ; time-resolved terahertz spectroscopy ; semiconductor nanoparticles Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GP202/09/P099 GA ČR - Grantová agentura ČR LC512 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000264768900091 DOI 10.1103/PhysRevB.79.115309 Anotace A Monte Carlo method is employed to calculate the dynamical conductivity in the terahertz range of free charge carriers localized in semiconductor nanoparticles. The shape of the conductivity spectrum is essentially determined by the probability of carrier transition through interparticle boundaries and by the ratio of the nanoparticle size and carrier mean free path in the bulk. It is shown that the conductivity spectrum exhibits similar features as the classical extension of the Drude conductivity of electrons proposed by Smith [Phys. Rev. B 64, 155106 (2001)]. We find and discuss the link of this model to the results of our simulations which suggests an interpretation of the phenomenological parameters of the Drude-Smith model. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1