Počet záznamů: 1
Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction
- 1.
SYSNO ASEP 0324990 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction Překlad názvu Feromagnetismus ovládaný nízkým napětím v polovodičovém p-n přechodu Tvůrce(i) Owen, M.H.S. (GB)
Wunderlich, J. (GB)
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
Zemen, Jan (FZU-D) RID
Výborný, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Ogawa, S. (GB)
Irvine, A.C. (GB)
Ferguson, A.J. (GB)
Sirringhaus, H. (GB)
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. New Journal of Physics. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1367-2630
Roč. 11, č. 2 (2009), 023008/1-023008/9Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova ferromagnetic semiconductor ; p-n junction ; field-effect transistor Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR GEFON/06/E001 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000263041100008 DOI 10.1088/1367-2630/11/2/023008 Anotace Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction is studied experimentally and theoretically. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1