Počet záznamů: 1  

Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction

  1. 1.
    SYSNO ASEP0324990
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevLow voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction
    Překlad názvuFeromagnetismus ovládaný nízkým napětím v polovodičovém p-n přechodu
    Tvůrce(i) Owen, M.H.S. (GB)
    Wunderlich, J. (GB)
    Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
    Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
    Zemen, Jan (FZU-D) RID
    Výborný, Karel (FZU-D) RID, ORCID
    Ogawa, S. (GB)
    Irvine, A.C. (GB)
    Ferguson, A.J. (GB)
    Sirringhaus, H. (GB)
    Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
    Zdroj.dok.New Journal of Physics. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1367-2630
    Roč. 11, č. 2 (2009), 023008/1-023008/9
    Poč.str.9 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovaferromagnetic semiconductor ; p-n junction ; field-effect transistor
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPLC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
    GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GEFON/06/E001 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    UT WOS000263041100008
    DOI10.1088/1367-2630/11/2/023008
    AnotaceLow voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction is studied experimentally and theoretically.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2009
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.