Počet záznamů: 1
High detection performance of particle detectors based on SI InP doped with Ti and Zn
- 1.
SYSNO ASEP 0323029 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název High detection performance of particle detectors based on SI InP doped with Ti and Zn Překlad názvu Vysoce účinné detektory alfa částic na bázi SI InP dopované Ti a Zn Tvůrce(i) Gorodynskyy, Vladyslav (URE-Y)
Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Žďánský, Karel (URE-Y)
Pekárek, Ladislav (FZU-D)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. IEEE Transactions on Nuclear Science. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers - ISSN 0018-9499
Roč. 55, č. 5 (2008), s. 2785-2788Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova radiation detection ; InP ; crystal growth Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN400670651 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000262015800030 DOI 10.1109/TNS.2008.2002887 Anotace In this work, we present results of measurements of spectra of alpha-particles carried out on semi-insulating (SI) InP detectors. The detectors were fabricated from Ti and Zn co-doped SI InP crystals grown by Czochralski technique. Excellent detectors performance has been evaluated by values of charge collection efficiency 99% and energy resolution 1% obtained from the spectra measured at 230 K. Such high performance can be explained by InP doping with suitable Ti atoms and co-doping with low concentration of Zn acceptors sufficient for the full compensation of shallow donors, to reach SI properties. Excellent detector performance and high electron mobility makes the reported InP material promising to be used for the detection of X-rays and radiation. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1