Počet záznamů: 1

Narrow-linewidth high-power semiconductor laser with external feedback

SYSNO ASEP	0092418
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Narrow-linewidth high-power semiconductor laser with external feedback
Překlad názvu	Výkonový úzkospektrální polovodičový laser s prodlouženým rezonátorem
Tvůrce(i)	Buchta, Zdeněk (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID} Rychnovský, Jan (UPT-D)_{RID, SAI} Lazar, Josef (UPT-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Advanced Laser Technologies 2006. (Proceedings of SPIE Vol. 6606). - Bellingham : SPIE, 2007 - ISSN 0277-786X - ISBN 978-0-8194-6744-7
Rozsah stran	660606:1-5
Poč.str.	5 s.
Akce	Advanced Laser Technologies 2006
Datum konání	08.09.2006-12.08.2006
Místo konání	Brasov
Země	RO - Rumunsko
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	optical pumping ; laser diode ; emission linewidth ; spectroscopy
Vědní obor RIV	BH - Optika, masery a lasery
CEP	IAA1065303 GA AV ČR - Akademie věd
	GA102/04/2109 GA ČR - Grantová agentura ČR
	LC06007 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
CEZ	AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
Anotace	We present an extended cavity laser system based on a tunable high-power laser diode optimized for maximum efficiency of the optical pumping process of Rb atoms. The aplication of the laser system is orineted to employment in an experimental arrangement for production of hyperpolarized gasses (HpG), namely Xenon. It is designed to operate in medical and industrial applications to come. We concentrated on the laser diode emission linewidth reduction because of the efficiency of the optical pumping process. The emission linewidth was reduced approximately from 1 THz to 69 GHz with only half of the total optical power loss and quadruple increase of the power spectral density at the wavelength of desire.
Pracoviště	Ústav přístrojové techniky
Kontakt	Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
Rok sběru	2008

Počet záznamů: 1