Počet záznamů: 1  

Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance Effect in a (Ga,Mn)As Single-Electron Transistor

  1. 1.
    SYSNO ASEP0079015
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevCoulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance Effect in a (Ga,Mn)As Single-Electron Transistor
    Překlad názvuAnisotropní magnetoresistence v režimu Coulombovské blokády v jednoelektronovém transistoru na bázi (Ga,Mn)As
    Tvůrce(i) Wunderlich, J. (GB)
    Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
    Kaestner, B. (GB)
    Irvine, A.C. (GB)
    Shick, Alexander (FZU-D) RID, ORCID
    Stone, N. (GB)
    Wang, K. Y. (GB)
    Rana, U. (GB)
    Giddings, A.D. (GB)
    Foxon, C. T. (GB)
    Campion, R. P. (GB)
    Williams, D.A. (GB)
    Gallagher, B. L. (GB)
    Zdroj.dok.Physical Review Letters. - : American Physical Society - ISSN 0031-9007
    Roč. 97, č. 7 (2006), 077201/1-077201/4
    Poč.str.4 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaanisotropic magnetoresistance ; Coulomb blockade ; single electron transistor
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGA202/05/0575 GA ČR - Grantová agentura ČR
    LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    AnotaceExperimental discovery and theoretical description of the Coulomb blockade anisotropic magnetoresistance in a ferromagnetic GaMnAs single electron transistor
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2007
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.