Počet záznamů: 1  

Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

  1. 1.
    Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Komarnitskyy, V. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
    Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs.
    Superlattices and Microstructures. Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327. ISSN 0749-6036. E-ISSN 1096-3677
    Impakt faktor: 0.910, rok: 2009
    http://hdl.handle.net/11104/0176305
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.