Počet záznamů: 1
Self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by different strain reducing layers exhibiting strong photo- and electroluminescence in 1.3 and 1.55 μm bands
- 1.0367915 - FZÚ 2012 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Komarnitskyy, V. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by different strain reducing layers exhibiting strong photo- and electroluminescence in 1.3 and 1.55 μm bands.
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. Roč. 11, č. 8 (2011), s. 6804-6809. ISSN 1533-4880
Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * MOVPE * InAs * GaAs * photoluminescence * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.563, rok: 2011
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0202422
Počet záznamů: 1