Počet záznamů: 1  

InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

  1. 1.
    0359526 - FZÚ 2012 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Oswald, Jiří - Vetushka, Aliaksi - Caha, O. - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hulicius, Eduard
    InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime.
    Journal of Crystal Growth. Roč. 317, č. 1 (2011), s. 39-42. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GAP108/10/0253; GA MŠMT LC510; GA ČR GA202/09/0676
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III–V materials
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.726, rok: 2011

    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0197302
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.