Počet záznamů: 1  

Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation

  1. 1.
    0346873 - ÚJF 2011 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Lavrentiev, Vasyl - Vacík, Jiří - Vorlíček, Vladimír - Voseček, Václav
    Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation.
    Physica Status Solidi B. Roč. 247, č. 8 (2010), s. 2022-2026. ISSN 0370-1972. E-ISSN 1521-3951.
    [8th International Conference on Optics of Surfaces and Interfaces (OSI-VIII). Ischia, 07.09.2009-11.09.2009]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA200480702; GA AV ČR IAA400100701; GA AV ČR(CZ) KAN400480701; GA ČR GA106/09/1264
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10480505; CEZ:AV0Z10100520
    Klíčová slova: ion implantation * Raman spectra * Rutherford backscattering spectroscopy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.344, rok: 2010

    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0187786
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.