Počet záznamů: 1
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures
- 1.0341444 - ÚFE 2010 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures.
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 165, 1-2 (2009), s. 94-97. ISSN 0921-5107. E-ISSN 1873-4944
Grant CEP: GA ČR(CZ) GP102/08/P617; GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
Impakt faktor: 1.715, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184438
Počet záznamů: 1