Impact of rare earth elements on the properties of InP-based epitaxial layers

0021048 - ÚFE 2006 RIV SK eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel - Kopecká, M.
Impact of rare earth elements on the properties of InP-based epitaxial layers.
[Vliv vzácných zemin na vlastnosti vrstev na bázi InP.]
ChemZi. Roč. 1, č. 1 (2005), s. 187-187. ISSN 1336-7242.
[Zjazd chemických spoločností /57./. Tatranské Matliare, 04.09.2005-08.09.2005]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/0379
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: epitaxial growth * semiconductors * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

The addition of all studied rare earth elements (Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb a Lu) leads to the reduction of structural defect densities by one and a half order of magnitude and undesirable electrically active impurities were reduced by up to three orders of magnitude. PL spectra confirmed the high purity and structural quality of grown InP layers. The addition of Ce and Yb leads to the introduction into the host lattice.

Přídavek všech studovaných vzácných zemin (Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb a Lu) do taveniny při epitaxním růstu z kapalné fáze vedl k redukci strukturních defektů o jeden a půl řádu a koncentrace nežádoucích elektroaktivních příměsí se snížila o tři řády. PL spektra potvrdila vysokou čistotu a strukturní kvalitu připravebných InP vrstev. Přídavek Ce a Yb vedl k jejich zabudování do krystalové mříže.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0110079