Characterization of InAs/AlSb tunelling double barrier heterostructure by reverse electron emission spectroscopy with InAs as base electrode

0000388 - ÚFE 2005 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Vaniš, Jan - Chow, D. H. - Šroubek, Filip - McGill, T. C. M. - Walachová, Jarmila
Characterization of InAs/AlSb tunelling double barrier heterostructure by reverse electron emission spectroscopy with InAs as base electrode.
[Charakterizace InAs/AlSb dvojite tunelove barierove heterostruktury.]
Physica Status Solidi C. Roč. 2, č. 4 (2005), s. 1444-1448. ISSN 1610-1634.
[EXMATEC 2004 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /7./. Montpellier, 01.06.2004-04.06.2004]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104
Klíčová slova: scanning tunnelling microscopy * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Spectroscopic measurements are done in the reverse voltage bias polarity (Auger condition) on the tunneling double barrier heterostructure with the well thickness of 12 nm and the symmetric barrier thickness of 2 nm. Spectroscopic results in the voltage range of -0.1 V to -1.4 V are presented. The observed intensity of the measured ballistic current is much higher than it is expected from the theory and earlier published measurements. The description of these processes is presented.

V práci jsou prezentována balistická elektronová emisní spektroskopická měření na dvojité tunelové barierové heterostruktuře v reversním (Auger) režimu. Struktura má tloušťku kvantové jámy 12nm a symetrické bariéry tloušťky 2nm. Spektroskopické charakteristiky jsou změřeny v rozsahu od -0.1V do -1.4V. Je prezentován popis vyšší naměřené intenzity balistického proudu, který neodpovidá teoriím dříve publikovaných měření.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0017652