Počet záznamů: 1
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm
- 1.0448593 - FZÚ 2016 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Zíková, Markéta - Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Krčil, Pavel - Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Kioseoglou, J.
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm.
Journal of Crystal Growth. Roč. 414, Mar (2015), 167-171. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: long emission wavelength * photocurrent * InAs quantum dots * MOVPE * GaAsSb layer
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.462, rok: 2015
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0250242
Počet záznamů: 1