Počet záznamů: 1  

Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE

  1. 1.
    0341441 - ÚFE 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Vaniš, Jan - Zelinka, Jiří - Malina, Václav - Henini, M. - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hulicius, Eduard - Šroubek, Filip - Walachová, Jarmila
    Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE.
    Microelectronics Journal. Roč. 40, č. 3 (2009), s. 496-498. ISSN 0026-2692. E-ISSN 1879-2391
    Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10750506
    Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunction
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 0.778, rok: 2009
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0184437
     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.