Počet záznamů: 1
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs
- 1.0336403 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Novák, Vít - Olejník, Kamil - Cukr, Miroslav
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs.
[Zahřívání substrátu vlivem absorpce na volných nosičích přiepitaxním růstu GaMnAs.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2132-2134. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E001
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: GaMnAs * MBE * diluted magnetic semiconductors
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.534, rok: 2009
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0180643
Počet záznamů: 1