Počet záznamů: 1  

Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers

  1. SYS0541992
    LBL
      
    01000a^^22220027750^450
    005
      
    20240103225733.6
    014
      
    $a 85104562025 $2 SCOPUS
    014
      
    $a 000641873500002 $2 WOS
    017
      
    $a 10.1063/5.0036366 $2 DOI
    100
      
    $a 20210428d m y slo 03 ba
    101
      
    $a eng $d eng
    102
      
    $a US
    200
    1-
    $a Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers
    215
      
    $a 11 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0256872 $1 011 $a 0021-8979 $e 1089-7550 $1 200 1 $a Journal of Applied Physics $v Roč. 129, č. 15 (2021) $1 210 $c AIP Publishing
    610
      
    $a stacking faults
    610
      
    $a gallium nitride
    610
      
    $a transmission electron microscopy
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0376914 $a Vacek $b Petr $p UFM-A $i Víceúrovňové modelování a měření fyzikálních vlastností $j Multiscale modelling and measurements of physical properties $4 070 $z K $T Ústav fyziky materiálů AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0376913 $a Frentrup $b M. $y GB $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0408574 $a Lee $b L. Y. $y GB $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0381393 $a Massabuau $b Fabien C. P. $y GB $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0376915 $a Kappers $b Menno J. $y GB $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0376916 $a Wallis $b David J. $y GB $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0101260 $a Gröger $b Roman $p UFM-A $i Víceúrovňové modelování a měření fyzikálních vlastností $j Multiscale modelling and measurements of physical properties $w Electrical and Magnetic Properties Group $4 070 $T Ústav fyziky materiálů AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0376917 $a Oliver $b Rachel A. $y GB $4 070
    856
      
    $u https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0036366 $9 RIV
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.