Počet záznamů: 1
Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications
SYS 0474047 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103214003.6 014 $a 85015385142 $2 SCOPUS 014 $a 000398873500011 $2 WOS 017 70
$a 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.110 $2 DOI 100 $a 20170419d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a NL 200 1-
$a Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 464, Apr (2017), s. 59-63 $1 210 $c Elsevier 608 $a Article 610 $a MOVPE 610 $a quantum dot 610 $a strain reducing layer 610 $a InAs 610 $a GaAsSb 610 $a InGaAs 700 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1