Počet záznamů: 1
MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm
SYS 0448593 LBL 02633^^^^^2200421^^^450 005 20240103210839.0 014 $a 000349602900030 $2 WOS 014 $a 84922565864 $2 SCOPUS 017 70
$a 10.1016/j.jcrysgro.2014.09.053 $2 DOI 100 $a 20151015d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb layer with long wavelength emission at 1.8 µm 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 414, Mar (2015), 167-171 $1 210 $c Elsevier 610 0-
$a long emission wavelength 610 0-
$a photocurrent 610 0-
$a InAs quantum dots 610 0-
$a MOVPE 610 0-
$a GaAsSb layer 700 -1
$3 cav_un_auth*0285811 $a Zíková $b Markéta $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0308739 $a Krčil $b Pavel $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0219559 $a Komninou $b Ph. $y GR $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0296566 $a Kioseoglou $b J. $y GR $4 070
Počet záznamů: 1