Počet záznamů: 1
Self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by different strain reducing layers exhibiting strong photo- and electroluminescence in 1.3 and 1.55 μm bands
SYS 0367915 LBL 02547^^^^^2200397^^^450 005 20240103195916.3 014 $a 000295296400021 $2 WOS 017 $a 10.1166/jnn.2011.4223 $2 DOI 100 $a 20111129d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a Self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by different strain reducing layers exhibiting strong photo- and electroluminescence in 1.3 and 1.55 μm bands 215 $a 6 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257914 $1 011 $a 1533-4880 $1 200 1 $a Journal of Nanoscience and Nanotechnology $v Roč. 11, č. 8 (2011), s. 6804-6809 $1 210 $c American Scientific Publishers 610 0-
$a quantum dots 610 0-
$a MOVPE 610 0-
$a InAs 610 0-
$a GaAs 610 0-
$a photoluminescence 610 0-
$a electroluminescence 700 -1
$3 cav_un_auth*0015168 $a Hazdra $b P. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0255147 $a Komarnitskyy $b V. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1